檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "碳化矽".ckeyword (精準) and year="105"
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摘要 本研究在MgYZn合金(Mg97Y2Zn1)內分別添加5 wt%及10 wt%的碳化矽(SiC)粉末使用兩階段鑄造方法製備鎂基複合材料，探討其顯微結構、機械性質及腐蝕行為。 研究結果顯示MgY…
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料，因此在高功率元件市場上有較大之需求，然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質，使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料，具有更明顯的優勢，如具有高崩潰電壓及低的阻抗，在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目，但也…
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本論文分為兩個部分，第一部分目的在探討使用共濺鍍氣相沉積法製備碳化矽薄膜。不同於高溫(1600℃)化學氣相沉積法製備碳化矽薄膜，本研究之重點在於利用矽合金靶材和碳靶在相對低溫的下以不同射頻電漿製程參…